你了解集成電路制造嗎?合肥獵頭公司告訴你,對單晶裸片進行初步加工得到晶圓,接下來將光罩上的電路圖刻蝕到晶圓上,主要工序皆由晶圓代工廠完成。主要包括擴散、薄膜生長、光刻、刻蝕、離子注入、拋光等工序,對應設備主要有擴散爐、氧化爐、CVD/PVD設備、清洗設備、光刻機、刻蝕系統、離子注入機、拋光機等。作為半導體生產流程的直接生產,晶圓加工步驟眾多,設備要求極高,雖然國內具備完整生產能力,受限于高端設備和技術封鎖,高端產品仍未突破,其中光刻、離子注入和拋光(拋光墊)等工藝設備國內尚未突破。
根據摩爾定律,約18月集成電路晶體管數量將增加一倍,技術持續發展下集成電路線寬不斷縮小,集成電路的設備投資呈指數級上升趨勢。根據IBS統計,5nm產線的設備投資高達數百億美元,是16/14nm產線投資的兩倍以上,是28nm的四倍左右。目前三星已正式宣布3nm工藝量產,臺積電預計2022年下半年呈現量產,隨著技術持續靠近硅基物理極限,未來技術方向或是“雙層堆疊”等。集成電路制造
對單晶裸片進行初步加工得到晶圓,接下來將光罩上的電路圖刻蝕到晶圓上,主要工序皆由晶圓代工廠完成。主要包括擴散、薄膜生長、光刻、刻蝕、離子注入、拋光等工序,對應設備主要有擴散爐、氧化爐、CVD/PVD設備、清洗設備、光刻機、刻蝕系統、離子注入機、拋光機等。作為半導體生產流程的直接生產,晶圓加工步驟眾多,設備要求極高,雖然國內具備完整生產能力,受限于高端設備和技術封鎖,高端產品仍未突破,其中光刻、離子注入和拋光(拋光墊)等工藝設備國內尚未突破。
根據摩爾定律,約18月集成電路晶體管數量將增加一倍,技術持續發展下集成電路線寬不斷縮小,集成電路的設備投資呈指數級上升趨勢。根據IBS統計,5nm產線的設備投資高達數百億美元,是16/14nm產線投資的兩倍以上,是28nm的四倍左右。目前三星已正式宣布3nm工藝量產,臺積電預計2022年下半年呈現量產,隨著技術持續靠近硅基物理極限,未來技術方向或是“雙層堆疊”等。
早期我國純晶圓代工占比全球市場份額達10%以上,隨著國內技術停滯疊加全球晶圓制程技術難度持續加深,2007-2014年我國純晶圓代工市場份額持續下降,隨著國內中芯國際和聯電企業技術相繼突破28制程,整體市場份額趨向穩定,近年來下游需求推動國內純晶圓代工產能穩步上升,但受限于尖端代工技術差距,同時中芯國際被美國列入實體名單,國內尖端晶圓代工差距中短期內增長有限。
技術持續發展背景下,晶圓制程持續發展,截止2022年7月底三星已宣布量產3nm工藝,國內晶圓產業起步較晚,受限于設備及材料等相關因素影響疊加技術封鎖,我國晶圓代工目前仍僅可量產14nm制程晶圓,相較國際先進水平相差較大。
在尖端制程領域,技術持續迭代后,逐步形成臺積電(Foundry模式)和三星(IDM模式)壟斷技術情況,根據2021年臺積電數據顯示,其5nm制程份額占比其產品19%,國內而言,中美貿易持續緊張下國產企業中芯國際雖有競爭先進制程的需求,但受限于美國實體名單,無法獲取EUV光刻機,先進制程無法突破,雖然目前憑借成熟制程需求持續擴張占比全球第五,但先進制程仍是中國芯片崛起的關鍵。
目前中國大陸上集成電路晶圓代工企業中,中芯國際和華虹半導體產品最為目前中芯國際技術產品包括0.35微米到14納米不同技術節點的晶圓代工產品,實際生產應用上受限于良品等多因素,14nm和28nm制程占比15.1%左右,同時雖然中芯國際具備14nm量產水平,但高端材料及設備嚴重依賴進口,如光刻機等嚴重依賴阿斯麥DUV,完全國產化任重道遠;華虹半導體整體發展較晚,目前產品中最先進制程55/65nm占比9.7%,差距較大。
早期我國純晶圓代工占比全球市場份額達10%以上,隨著國內技術停滯疊加全球晶圓制程技術難度持續加深,2007-2014年我國純晶圓代工市場份額持續下降,隨著國內中芯國際和聯電企業技術相繼突破28制程,整體市場份額趨向穩定,近年來下游需求推動國內純晶圓代工產能穩步上升,但受限于尖端代工技術差距,同時中芯國際被美國列入實體名單,國內尖端晶圓代工差距中短期內增長有限。
技術持續發展背景下,晶圓制程持續發展,截止2022年7月底三星已宣布量產3nm工藝,國內晶圓產業起步較晚,受限于設備及材料等相關因素影響疊加技術封鎖,我國晶圓代工目前仍僅可量產14nm制程晶圓,相較國際先進水平相差較大。
在尖端制程領域,技術持續迭代后,逐步形成臺積電(Foundry模式)和三星(IDM模式)壟斷技術情況,根據2021年臺積電數據顯示,其5nm制程份額占比其產品19%,國內而言,中美貿易持續緊張下國產企業中芯國際雖有競爭先進制程的需求,但受限于美國實體名單,無法獲取EUV光刻機,先進制程無法突破,雖然目前憑借成熟制程需求持續擴張占比全球第五,但先進制程仍是中國芯片崛起的關鍵。
目前中國大陸上集成電路晶圓代工企業中,中芯國際和華虹半導體產品最為目前中芯國際技術產品包括0.35微米到14納米不同技術節點的晶圓代工產品,實際生產應用上受限于良品等多因素,14nm和28nm制程占比15.1%左右,同時雖然中芯國際具備14nm量產水平,但高端材料及設備嚴重依賴進口,如光刻機等嚴重依賴阿斯麥DUV,完全國產化任重道遠;華虹半導體整體發展較晚,目前產品中最先進制程55/65nm占比9.7%,差距較大。
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